企业官网建设流程全解析

东莞市长安网站建设公司,个人中心页面设计html,免费制作网站,新闻发稿114知识星球#xff08;星球名#xff1a;芯片制造与封测技术社区#xff0c;星球号#xff1a;63559049#xff09;里的学员问#xff1a;干法刻蚀SiO2的化学方程式怎么写#xff1f;刻蚀的过程是怎么样的#xff1f;干法刻氧化硅的化学方程式#xff1f;如上图#xf…知识星球星球名芯片制造与封测技术社区星球号63559049里的学员问干法刻蚀SiO2的化学方程式怎么写刻蚀的过程是怎么样的干法刻氧化硅的化学方程式如上图以F系气体刻蚀为例反应的方程式为SiO2(s) CxFy Ar()SiF4 (g) CO(g)CxFy是来自刻蚀气体如CF₄、CHF₃解离产生的氟自由基用于氧化硅的化学刻蚀。Ar()是被加速的高能离子起到物理轰击的作用。SiF4 四氟化硅气相形式的挥发性产物。CO一氧化碳副产物。红色箭头代表离子轰击高能离子轰击表面破坏SiO₂分子的键为自由基提供更多反应位点同时起到“方向性”作用使刻蚀更具各向异性。绿色箭头代表氟自由基即CxFy。Ar离子轰击与化学刻蚀的结合才能显著提高刻蚀速率。单一的物理或化学机制均不足以实现高效刻蚀。离子与中性粒子比值对反应速率的影响如上图中性粒子自由基浓度Ar浓度当比值较低时刻蚀速率主要受自由基的浓度限制。在高比值时Ar离子轰击成为限制因素刻蚀速率趋于饱和。